RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1909
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link