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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
71
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
66
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
1909
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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