RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2575
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link