RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
60
Около -161% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2575
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link