RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3204
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link