RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2306
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link