RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3911
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link