RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
65
Por volta de -160% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
16.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3911
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link