RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2937
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link