RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
72
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1728
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link