RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3364
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link