RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
19.8
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3364
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link