RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3011
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link