RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3701
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link