RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
65
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
64
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2065
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link