RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
65
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
64
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2065
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link