RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1944
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link