RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2148
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link