RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2148
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link