RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
86
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
86
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1658
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link