RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
86
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
86
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
1658
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link