RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
56
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
2772
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link