RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
56
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
2481
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link