RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2323
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link