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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
2323
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
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