RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2697
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link