RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2544
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link