RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
69
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1794
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link