RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
69
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1794
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link