RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3518
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link