RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3518
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link