RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
15.0
20.6
写入速度,GB/s
10.3
13.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3518
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link