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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
13.7
写入速度,GB/s
8.1
8.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2290
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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