RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3505
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link