RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3385
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link