RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,698.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,698.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
520
3754
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link