RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB vs SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
62
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
1,698.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
62
59
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.7
4,723.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,698.0
2,076.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
520
741
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link