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Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB vs SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
59
62
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
1,698.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
62
59
Velocità di lettura, GB/s
3,757.7
4,723.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,698.0
2,076.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
520
741
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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