RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2935
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link