RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3405
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link