RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
36
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3405
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link