RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2559
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link