RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2559
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link