RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2608
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link