RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
79
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
79
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
1651
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link