RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2466
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link