RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3673
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link