RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
72
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
72
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1731
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link