RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3925
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link