RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3886
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link