RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3550
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link