RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3825
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link